Патент №2110113 - Способ регулирования величины заряда обратного восстановления полупроводниковых приборов с заданной точностью

Использование: изобретение относится к силовой полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов. Сущность изобретения: способ включает регулирование величины заряда обратного восстановления Qrr, определяемой соотношением Q3-QQфiQ3+Q , где Qз - требуемое значение Qrr для полупроводниковых приборов, Qфi - фактически измеренное значение Qrr у i-го полупроводникового прибора, Q - величина допустимого отклонения Qфi от Qз путем облучения партии выпрямительных элементов, на которых предварительно измерены значения Qrr (Q0i) и для данного типа полупроводниковых приборов и режима облучения установлена зависимость (F) изменения Qrr как функции от дозы облучения () потоком быстрых электронов, при котором дозу облучения для i-го выпрямительного элемента устанавливают исходя из зависимости F, соответственно разнице между Q0i и Qз, и у каждого i-го выпрямительного элемента, неудовлетворяющего условию (I), после облучения измеряют Qrr (Q1i) и для него устанавливают свою зависимость Fi изменения Qrr от , после чего проводят повторное облучение, дозу которого 2i для i-го выпрямительного элемента устанавливают исходя из Fi соответственно разнице между Q1i и Qз. 2 табл.