Патент №2110114 - Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния

Использование: технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной (ССТ) технологии с использованием поликремния на кремнии. Сущность изобретения: процесс селективного травления поликремния до кремния предусматривает покрытие пластины слоем диэлектрика до осаждения слоя поликремния, удаление слоя диэлектрика с поверхности пластины в местах последующего формирования рабочих кристаллов ИС, осаждение слоя поликремния, покрытие пластины слоем фоторезиста, вскрытие окон в слое фоторезиста в местах последующего травления слоя поликремния и удаление фоторезиста с периферийных областей пластины вне расположения рабочих кристаллов ИС и с межкристальных дорожек, плазмохимическое травление слоя поликремния до диэлектрика с контролем окончания травления и одновременно поликремния до кремния без существенных нарушений кремниевой пластины. Таким образом, травление поликремния производится одновременно до диэлектрика на периферии пластины и до кремния в рабочих областях при возможности контроля окончания процесса травления до диэлектрика. 1 з.п.ф-лы, 6 ил.

Патент №2110114, изображение 1
Патент №2110114, изображение 2
Патент №2110114, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/00Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей