Патент №2110115 - Способ подготовки кремниевых подложек

Использование: в области микроэлектроники, а именно в технологии изготовления пластин подложек из монокристаллического кремния с геттерирующими слоями. Сущность изобретения: производят механическую и химическую обработки поверхности рабочей и нерабочей сторон подложек, а затем трехстадийный отжиг при высоких и низких температурах для формирования внутреннего геттерирующего слоя, перед второй низкотемпературной стадией отжига подложки с рабочей стороны облучают потоком альфа-частиц от радионуклидного источника, фиксируют изменения периода кристаллической решетки приповерхностных слоев вблизи нерабочей стороны подложек и прекращают облучение после стабилизации периода решетки. 1 табл.