Патент №2110116 - Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния

Использование: в полупроводниковой технике для выявления и анализа структурных дефектов. Сущность изобретения: для выявления структурных дефектов в кристаллах кремния исследуемую поверхность кристалла облучают потоком альфа-частиц от радионуклидного источника дозой (1,2 - 7,2) 1012 см-2, производят химическое травление в избирательно действующем на дефекты растворе и выявленные дефекты после травления фиксируют в кольцевой области, окружающей зону облучения. 1 табл.

Патент №2110116, изображение 1

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/00Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей