Патент №2110117 - Полупроводниковая кремниевая структура
Используется в производстве микроэлектронных приборов, повышает технологичность, надежность, быстродействие при предельном снижении габаритов и массы. Сущность: структура состоит из тонкого кристалла кремния, объем которого совпадает с объемом приборной области, контактных площадок и балочных выводов, которые могут быть изготовлены из неблагородных металлов - Cu, Ni, и др. 3 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 23/00 | Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле |
| МПК H01L 29/00 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них |