Патент №2110868 - Способ изготовления биполярного транзистора

Использование: микроэлектроника, технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах о использованием методов самосовмещенной технологии. Сущность изобретения: способ изготовления биполярного транзистора включает создание в подложке первого типа проводимости скрытых слоев второго типа проводимости и осаждение эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование на поверхности первого диэлектрика, вытравливают в нем окон под базу, осаждение первой пленки поликремния, легирование поликремния примесью первого типа проводимости, осаждение второй пленки диэлектрика о толщиной не менее двух погрешностей совмещения на литографии, формирование маски фоторезиста таким образом, что границы эмиттерных окон в фоторезисте проходят над вертикальными участками второй пленки диэлектрика, образованными на ступенях окна под базу, и располагаются не ближе одной погрешности совмещения на литографии от каждой боковой стенки вертикальных участков диэлектрика, вытравливание диэлектрика на горизонтальных участках до поликремния, вытравливание поликремния, легирование кремния примесью первого типа проводимости, формирование пристеночного диэлектрика, осаждение второй пленки поликремния, формирование эмиттерных и базовых областей, создание контактов к ним и металлизации. Способ позволяет уменьшить размеры эмиттера без ухудшения других параметров транзистора и не требует применения сложных тех-нологических процессов, снижающих процент выхода годных. 11 ил.

Патент №2110868, изображение 1
Патент №2110868, изображение 2
Патент №2110868, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/00Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей