Патент №2110870 - Способ изготовления накопительного конденсатора элемента памяти интегральных схем

Изобретение относится к технологии изготовления накопительных конденсаторов в элементах памяти интегральных схем. Его использование позволяет повысить выход годных интегральных схем и их качество за счет снижения дефектности. Способ включает нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с диэлектрическим слоем и с контактным окном первого проводящего слоя, формирование в нем части первой обкладки конденсатора, осаждение разделительного изолирующего слоя, нанесение фоторезистивной маски с рисунком контактного окна, вскрытие контактного окна, удаление фоторезистивной маски, нанесение второго проводящего слоя, контактирующего с первым через контактное окно, формирование в нем другой части первой обкладки конденсатора, селективное удаление разделительного изолирующего слоя, формирование конденсаторного диэлектрика, нанесение третьего проводящего слоя, создание в нем второй обкладки конденсатора. Технический результат достигается благодаря тому, что разделительный изолирующий слой осаждают после нанесения первого проводящего слоя, наносят второй проводящий слой и дополнительный разделительный изолирующий слой, наносят фоторезистивную маску и вскрывают самосовмещенное окно для соединения проводящих слоев и одновременно формируют части первой обкладки конденсатора в нижележащих проводящих слоях, удаляют фоторезистивную маску, наносят соединительный проводящий слой, фотолитографией формируют рисунок дополнительной поверхности первой обкладки, селективно удаляют разделительные изолирующие слои, а конденсаторный диэлектрик формируют на обнажившейся поверхности и дополнительном проводящем слое. 1 з.п.ф-лы, 5 ил., 1 табл.

Патент №2110870, изображение 1
Патент №2110870, изображение 2
Патент №2110870, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/00Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей