Патент №2110874 - Инжекционный полупроводниковый лазер

Изобретение относится к области мощных (от 500 мВт до 5 Вт) инжекционных полупроводниковых лазеров, предназначенных для использования в различных областях науки и техники, например медицине, автоматике и робототехнике, связи, в том числе космической, спектрометрии, геологии и т.д. Сущность изобретения: в инжекционном полупроводниковом лазере, изготовленном на основе гетероструктуры, с эмиттерными слоями и помещенной между ними активной областью, содержащем набор параллельно расположенных мезаполосок с основаниями, находящимися в ближайшем к ним эмиттерном слое, изолирующий слой, нанесенный в межполосковых областях, и сплошной металлический слой , расположенный сверху гетероструктуры и предназначенный для подвода тока к лазеру, упомянутый выше изолирующий слой выполнен из поликристаллического кремния с удельным электрическим сопротивлением не менее 1234567667890- = 2 10-3 Ом см2 и толщиной в диапазоне 0,1 - 0,5 мкм. 3 ил.

Патент №2110874, изображение 1
Патент №2110874, изображение 2
Патент №2110874, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01S 3/00Лазеры, т.е. устройства для генерирования, усиления, модуляции, демодуляции или преобразования частоты, использующие стимулированное излучение электромагнитных волн с длиной волны большей, чем длина волны в ультрафиолетовом диапазоне