Патент №2113034 - Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа). Сущность: двухслойный силицид получают осаждением металла, образующего силицид при предопределенной первой температуре, на поликристаллический кремний для образования первого слоя силицида металла и последующим осаждением металла, образующего силицид при второй температуре, которая ниже первой температуры, для образования второго слоя силицида металла; поскольку нестабильность известного полупроводникового устройства, построенного на силициде титана, начинает проявляться при более высокой температуре последующего отжига в печи, то можно избежать роста зерен, пластическую деформацию и агломерацию. 3 с. и 15 з.п. ф-лы, 4 ил.