Патент №2115193 - Магнетрон
Использование: в приборах СВЧ М-типа. Сущность изобретения: в катодном узле, имеющем вторично-эмиссионную и автоэмиссионную части, последняя изолирована от вторично-эмиссионной части и приспособлена для поддержания ее под потенциалом, отличным от потенциала вторично-эмиссионной части и вызывающим автоэмиссионную эмиссию. Магнетрон может иметь структуру, поддерживающую автоэмиссионную часть и приспособленную для ее электрического соединения с внешним источником потенциала. Фокусирующий фланец катодного узла может иметь сквозной проход, через который проходит проводящий элемент автоэмиссионной части. Вторично-эмиссионная часть может быть выполнена в виде спирали. 6 з.п.ф-лы, 11 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01J 1/00 | Элементы конструкции электродов, устройств для магнитного управления, экранов, устройств для их крепления или размещения, общие для двух и более основных типов электронных и газоразрядных приборов |
| МПК H01J 23/00 | Конструктивные элементы приборов с использованием времени пролета электронов, отнесенных к группе 25/00 |
| МПК H01J 25/00 | Приборы пролетного типа, например клистроны, лампы бегущей волны (ЛБВ), магнетроны |