Патент №2120682 - Способ обработки кремниевых подложек

Использование: при изготовлении высококачественных пластин-подложек из монокристаллического кремния. Технический результат способа - повышение однородности распределения электрофизических характеристик кремниевых подложек вблизи их рабочей стороны. Сущность изобретения: способ включает электрохимическое формирование на одной из сторон подложек слоя пористого кремния, обработку подложек и удаление пористого кремния. Пористый кремний формируют на рабочей стороне подложек и затем аморфизируют поверхность пористого кремния облучением ионами с энергией, при которой глубина проникновения ионов не превышает толщину слоя пористого кремния. Последующее удаление облученного пористого кремния проводят путем химико-динамического полирования в кислотном травителе. 2 табл.

Патент №2120682, изображение 1

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/00Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей