Патент №2130668 - Полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник
Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник содержит диэлектрическую подложку, на поверхности которой расположены области истока и стока, снабженные электродами и выполненные из материала с металлической проводимостью, полупроводниковую подзатворную область, размещенную между областями истока и стока, слой подзатворного диэлектрика, снабженный электродом затвора и расположенный на поверхности подзатворной области. Транзистор содержит дополнительную сильнолегированную полупроводниковую область с электродом, выполненную на поверхности диэлектрической подложки и прилегающую к подзатворной области. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия и рабочей температуры транзистора. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 29/00 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них |