Патент №2163410 - Способ изготовления кремниевых структур

Использование: технология изготовления полупроводниковых структур, изготовление кремниевых структур, содержащих р-слой кремния над и под границей раздела, при создании приборов сильноточной электроники и микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления кремниевых структур включает полировку поверхности пластин, создание на этой поверхности канавок глубиной не менее 0,3 мкм и расстоянием между границами 20 - 1000 мкм, гидрофилизацию пластин, обработку их в растворе плавиковой кислоты в деионизованной воде, соединение пластин полированными сторонами в водном растворе диффузантов элементов третьей группы с концентрацией 0,1 - 3,0%, сушку на воздухе при 100 - 130 град в течение не менее 4 ч при одновременном приложении давления не менее 310-3 Па, нагрев со скоростью не более 10 град/мин, начиная с 200 град до температуры не менее 1000 град, и выдержку при указанной температуре. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности улучшения электрофизических характеристик изготавливаемых кремниевых структур, содержащих р-слой, за счет равномерного сращивания пластин по всей площади без дефектов. 1 табл.