Патент №2185685 - Способ обработки структур "кремний на сапфире"

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов, например к радиации. Сущность изобретения: в способе обработки структур "кремний на сапфире", включающем нанесение пленки кремния на сапфировую подложку и циклическую низкотемпературную обработку структур в жидком азоте, чередующуюся через 30-60 с c выдержкой при комнатной температуре в жидкой среде, а также измерения показателя преломления пленки во время обработки, в качестве жидкой среды для нагрева структур до комнатной температуры используют водный раствор фтористо-водородной кислоты, после выдержки в котором кроме показателя преломления пленки измеряют показатель преломления подложки и обработку прекращают тогда, когда наиболее медленно изменяющийся из показателей преломления достигает постоянного значения. Технический результат: повышение качества приборных слоев кремния структур "кремний на сапфире" за счет снижения их дефектности. 1 табл.