Патент №2190879 - Карта со встроенным кристаллом ис и полупроводниковый кристалл ис для применения в карте

Изобретение относится к карте со встроенным кристаллом ИС, с телом карты и множеством изготовленных из электрически проводящего материала контактных площадок, которые электрически соединены с контактными выводами, которые приданы в соответствие электронной схеме, выполненной на полупроводниковой подложке полупроводникового кристалла ИС. Контактные площадки изготовлены в форме структурированного покрытия на обращенной к электронной схеме поверхности полупроводникового кристалла ИС, причем изготовленный вместе с контактными площадками полупроводниковый кристалл ИС вставлен и закреплен в приемном отверстии тела карты так, что контактные площадки проходят в основном заподлицо с внешней поверхностью тела карты. Для обеспечения достаточно высокой механической гибкости толщина кремниевой подложки составляет предпочтительно меньше порядка 100 мкм. Технический результат - предложенное безмодульное изготовление карты со встроенным кристаллом ИС позволяет упростить конструкцию и одновременно обеспечить устойчивость к изгибным нагрузкам. 2 с. и 8 з.п.ф-лы, 2 ил.