Патент №2225660 - Силовой полупроводниковый модуль

Использование: в силовой электронике. Силовой полупроводниковый модуль содержит в корпусе подложку, по меньшей мере, две полупроводниковые микросхемы с двумя электродами каждая и по одному контактному поршню. Первые основные электроды находятся в электрическом контакте с подложкой, а вторые основные электроды - с контактным поршнем. Между первым основным электродом и подложкой и/или между вторым основным электродом и контактным поршнем предусмотрен электропроводящий слой, который содержит материал, образующий совместно с полупроводниковым материалом соединение или сплав, точка плавления которого находится ниже точки плавления полупроводникового материала. Техническим результатом изобретения является создание построенного из отдельных микросхем с небольшой поверхностью силового полупроводникового модуля, у которого короткое замыкание отдельной микросхемы не приводит к выходу из строя всего модуля. 4 з.п.ф-лы, 1 ил.