Патент №2233354 - Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования

Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнетоэлектриков с сформированной доменной структурой и может быть использовано при создании и работе приборов точного позиционирования, в частности зондовых микроскопов, а также при юстировке оптических систем. Сущность изобретения: в способе получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования сначала формируют из сегнетоэлектрических монокристаллов, в которых возможно образование только 180-ных доменных границ, заготовку. В этой заготовке, по крайней мере, две грани параллельны друг к другу. Перпендикуляры к этим параллельным граням не совпадают с направлением оси спонтанной поляризации. Затем перемещают заготовку в тепловом поле печи из зоны с температурой выше температуры Кюри в зону с температурой ниже температуры Кюри. Одновременно к параллельным граням заготовки прикладывают периодически изменяющееся знакопеременное электрическое поле. После охлаждения всего объема заготовки ниже температуры Кюри в ней образуется заданная доменная структура. Размеры доменов в структуре задаются скоростью перемещения заготовки и периодом изменения полярности приложенного к ней электрического поля. После этого разделяют заготовку на пластины, две грани которых параллельны доменным границам и содержат равное число доменов противоположной полярности. Технический результат достигается расширением функциональных возможностей монокристалла за счет увеличения площади доменных границ и объема доменов, возможности ориентировки вектора поляризации домена под любым заданным к доменной границе углом, получения доменных структур как строго регулярных по всему объему, так и с любым законом их изменения. 7 з.п. ф-лы, 8 ил.