Патент №2248418 - Способ выращивания кристаллов

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов соединений, обладающих высокой упругостью паров над расплавом в условиях роста при нормальном атмосферном давлении методом Чохральского. Сущность изобретения: способ состоит из 2 стадий, включающих выращивание легированных кристаллов, из которых изготавливаются заготовки затравок в виде диска заданного диаметра толщиной порядка 5-6 мм для последующего выращивания номинально чистых кристаллов. Изобретение позволяет получать номинально чистые высокосовершенные кристаллы с плоской формой кристаллизации, управление которой осуществляется через лучистый теплообмен расплава. 3 ил.