Патент №2258978 - Способ изготовления полупроводниковых структур

Использование: в полупроводниковой технике при изготовлении супертонких полупроводниковых структур, имеющих толщину подложки на уровне 6-50 мкм. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение качества и точности обработки полупроводниковых структур за счет сочетания групповой и индивидуальной технологии и возможности индивидуальной механической обработки полупроводниковых структур при утонении нерабочей стороны до заданной фиксированной толщины. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых структур, включающем формирование, по крайней мере, двух структур на полупроводниковой пластине с реперными знаками для разделения, расположенными на расстоянии Sp друг от друга, изготовление носителей структур в виде колец и вкладышей, размещаемых внутри носителей, фиксацию на носителе, утонение структур путем механической обработки, резку пластины по реперным знакам на заготовки со структурами, носители структур изготавливают с внешним диаметром DвнешS р, м, и внутренним диаметром Dвн=(1,05...1,5)(a 2+b2)1/2, где а и b - габариты структуры, м, проводят резку пластин по реперным знакам на заготовки со структурами, заготовки со структурами калибруют до диаметра, равного внешнему диаметру кольцевого носителя, после чего проводят фиксацию заготовки со структурой рабочей стороной на носителе с вкладышем с последующим выравниванием носителя и вкладыша по толщине, а затем выполняют утонение структур путем механической обработки и полирующего травления и извлекают вкладыши. 5 ил.