Патент №2282272 - Способ изготовления твердотельного фотогальванического элемента с p-i-n-структурой
Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к устройствам, преобразующим лучистую энергию в электрическую, и может быть использовано в приборах для измерения освещенности, интенсивности излучения, дозы ультрафиолетового облучения в агропромышленном комплексе и в качестве датчика для определения концентрации озона в атмосферном слое Земли. Технический результат изобретения - повышение фоточувствительности по фото-ЭДС в области длин волн 400÷500 нм. Сущность: способ включает нанесение фоточувствительного слоя из органического полупроводника на подложку из неорганического полупроводника и размещение их между электродами, один из которых полупрозрачный. В качестве неорганического полупроводника используют арсенид галлия n-типа (n-GaAs), а в качестве органического полупроводника наносят тонкий слой фталоцианина меди р-типа (р-слой), между слоем n-типа и слоем р-типа располагается слой собственного полупроводника (i-слой). 1 ил., 1 табл.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 31/18 | Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов - способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частейдля изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей вообще 21/00 |