Патент №2304827 - Способ формирования высокотемпературного сверхпроводникового покрытия

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для получения высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТПС) пленочных элементов и схем. Техническим результатом изобретения является повышение качества ВТСП покрытий, из адгезии и критических параметров. Сущность изобретения: перед нанесением ВТПС покрытия поверхность буферного подслоя обрабатывают ионно-плазменным травлением до 10-13 класса и одновременно легируют поверхность буферного подслоя 20-30% легирующей добавки материалов, повышающих критические параметры ВТСП покрытия. 4 ил.

Патент №2304827, изображение 1
Патент №2304827, изображение 2
Патент №2304827, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 39/24Приборы с использованием сверхпроводимости; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей - способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки предусмотренных в 39/00 приборов или их частейдля изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей вообще 21/00; магнитное разделение сверхпроводящих материалов от других материалов, например с использованием эффекта Мейснера, B 03C 1/00