Патент №2320033 - Элемент памяти на планарном эффекте холла

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в компьютерах нового поколения, информационных системах связи, интеллектуальных датчиках, биопаспортах, системах управления. Техническим результатом изобретения является уменьшение погрешности измерений, повышение достоверности при сборе и обработке информации. Элемент памяти на планарном эффекте Холла выполнен на подложке, на которой последовательно расположены диэлектрический слой, запоминающая ферромагнитная пленка, состоящая из первого защитного слоя, ферромагнитной наноструктуры с осью легкого намагничивания, направленной вдоль длины пленки и второго защитного слоя, первого изолирующего слоя, проводника записи, второго изолирующего слоя, и содержит на диэлектрическом слое считывающую крестообразную магнитную структуру на планарном эффекте Холла, состоящую из третьего защитного слоя, магнитной наноструктуры и четвертого защитного слоя, а также из третьего изолирующего слоя, расположенного на проводнике записи, четвертого изолирующего слоя, расположенного над проводником записи, на котором расположен проводник считывания, установленный над считывающей крестообразной структурой на планарном эффекте Холла и вдоль запоминающей ферромагнитной пленки. 2 ил.