Патент №2341848 - Способ электрической пассивации поверхности полупроводника

Использование: в полупроводниковой технологии наноприборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si для обеспечения проводимости нанослоев. Сущность изобретения: в способе электрической пассивации поверхности полупроводника проводят подготовку поверхности полупроводника к пассивированию, промежуточную пассивацию, обеспечивающую условия для осаждения пассивирующего монослоя, и нанесение монослоя 1-алкена, в частности, 1-октадецена. Нанесение проводят при фотостимулировании или термостимулировании, в режиме, обеспечивающем заряд в монослое менее 1011 см-2, или сопровождают завершающей термообработкой, уменьшающей величину заряда, приводящего к поверхностному изгибу зон. Без завершающей термообработки фотостимулирование проводят 1,5÷2,5 часа на длине волны 265 нм, при мощности 18 Вт/см2 и расстоянии от источника ультрафиолета до подложки 2÷4 см, а термостимулирование - 12÷18 часов при 150÷170°С. С завершающей термообработкой, соответственно, 1÷5 часов на длине волны 265 нм, мощности 18 Вт/см2 и расстоянии источника ультрафиолета до подложки 1÷10 см и - 6÷18 часов при 110÷180°С, а завершающую термобработку осуществляют при 180÷260°С, 10÷30 мин. Промежуточную пассивацию осуществляют посредством водорода или сначала водорода, а затем иода, или брома, или фтора. Достигается стабильность эффекта электрической пассивации и улучшения свойств границы раздела между монослоем и полупроводником. 9 з.п. ф-лы.