Патент №2341851 - Устройство для регулирования физиологических процессов в биологическом объекте

Изобретение относится к устройствам для электромагнитного воздействия на биологический объект и может быть использовано в медицине и ветеринарии для изменения биологической активности биологических объектов. Изобретение направлено на создание компактного устройства, формирующего излучение, частотный диапазон которого наиболее полно соответствует частотному диапазону патогенного фактора, имеющего место в биологических субстанциях и биологическом объекте в целом. Сущность изобретения: устройство для регулирования физиологических процессов в биологическом объекте содержит источник питания, подключенный к полупроводниковому прибору, активный слой которого содержит полупроводниковую структуру на основе соединения А3В5. Полупроводниковый прибор выполнен с вольтамперной характеристикой, имеющей участок с отрицательной дифференциальной проводимостью, величина которой превышает величину дифференциальной проводимости биологического объекта. Полупроводниковый прибор может быть выполнен в виде диода Ганна, туннельного диода, BARRIT диода, транзистора. Полупроводниковая структура может быть выполнена, по меньшей мере, с двумя рабочими объемами из одного или разных соединений А3В5 с разными геометрическими размерами. 12 з.п. ф-лы, 3 ил.

Патент №2341851, изображение 1
Патент №2341851, изображение 2
Патент №2341851, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК A61N 5/02Лучевая терапия - с использованием микроволнового излучения 5/01 имеет преимущество
МПК H01L 29/00Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них