Патент №2349002 - Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП), и может быть использовано в производстве возобновляемых источников энергии. Задачей предлагаемого изобретения является создание способа изготовления полупроводникого фотопреобразователя, обеспечивающего повышение эффективности матричных фотопреобразователей. Сущность изобретения заключается в том, что после металлизации полупроводниковые структуры собирают в неплотную стопку, заполняют промежутки в стопке паяльным флюсом, погружают стопку в расплавленный припой и под осевым давлением удаляют избыточный слой припоя. Изобретение обеспечивает повышение КПД фотопреобразователей за счет использования операций, обеспечивающих повышение однородности металлической прослойки соединения полупроводниковых пластин в стопке.

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 31/18Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов - способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частейдля изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей вообще 21/00