Патент №2349987 - Способ изготовления полевого транзистора с барьером шоттки

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки. Сущность изобретения: способ изготовления полевого транзистора с барьером Шоттки содержит формирование активных областей прибора с рабочим n и контактным n + слоями, формирование омических контактов, нанесение первого диэлектрического слоя, формирование в нем травлением до поверхности арсенида галлия окна под затвор, заращивание окна вторым диэлектрическим слоем, травление второго диэлектрического слоя до его полного удаления с первого диэлектрического слоя и до арсенида галлия в окне, зауженном вторым диэлектрическим слоем, травление канавки в n+ слое арсенида галлия через зауженное окно и формирование Т-образного затвора в зауженном окне диэлектрика и канавке в n+ слое арсенида галлия. Первый диэлектрический слой создают последовательным нанесением нескольких диэлектрических слоев, имеющих разную скорость травления. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических параметров полевого транзистора с барьером Шоттки. 2 ил., 1 табл.