Патент №2364987 - Способ получения изолирующих слоев в полупроводниковых лазерных диодах и линейках
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых лазерных диодов и линеек. Предложен способ получения изолирующих слоев в полупроводниковых лазерных диодах и линейках, при помощи протонной бомбардировки N- и P-контактов. При этом протонной бомбардировке подвергают зеркальные и боковые грани, параллельные p-n переходу, с четырех сторон. Предлагаемое изобретение понижает пороговый ток, увеличивает стабильность мощности, увеличивает время стабильной работы полупроводниковых лазерных диодов и линеек. 2 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 33/00 | Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов |
| МПК H01S 5/00 | Полупроводниковые лазеры |