Патент №2366541 - Способ получения наночастиц халькогенидных полупроводниковых материалов

Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к получению наноразмерных частиц халькогенидных материалов, используемых в приемниках излучения, солнечных элементах, волноводах, лазерных окнах, видиконах и в других функциональных элементах электронных устройств и приборов. Предварительно осуществляют активацию халькогена и дихалькогенида в щелочи, содержащей гидразин-гидрат, при температуре 70-80°С при соотношении щелочь:халькоген, равном 2,3-2,5:1 для серы и селена и 6-8:1 для теллура, и при соотношении щелочь:дихальгонид, равном 2,5-3,0:1. В качестве щелочи используют гидроксид калия или натрия, а в качестве органического дихалькогенида используют соединения R2Y2, где R - С6Н 5, С6Н5СН2, С2 Н5, С4Н9, HOCH2CH 2, (HOCH2)2CH, CH2=CHCH 2, C8H17.Наночастицы получают при взаимодействии соли металлов с элементным халькогеном и одновременно с органическим дихалькогенидом, который является источником лигандов-стабилизаторов наночастиц при температуре 40-60°С. При этом получают халькогенидные полупроводниковые наночастицы MenYm(YR)2(n-m), где Me - Zn, Cd, Hg, Y - S, Se, Те, n=10-30, m=8-24, R - органический радикал. Обеспечивается простота получения частиц и высокий выход продукта. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.