Патент №2368031 - Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении таких приборов как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки и многие другие. Изобретение обеспечивает упрощение технологии изготовления приборов, повышение их мощности и, практически, устраняет изгиб структуры. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем выращивание на базовой подложке поликристаллического алмаза, эпитаксиальных вспомогательных слоев и эпитаксиальной структуры полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, на поверхности базовой подложки формируют вспомогательные эпитаксиальные слои, один из которых является базовым для выращивания эпитаксиальной структуры полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, на вспомогательных эпитаксиальных слоях выращивают поликристаллический алмаз, а после выращивания алмаза базовую подложку удаляют вместе с вспомогательными эпитаксиальными слоями до базового слоя, на котором выращивают эпитаксиальную структуру полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов. Для выращивания эпитаксиальной структуры III-нитридов предпочтительно в системе вспомогательных эпитаксиальных слоев в качестве базового слоя выращивать слой AlxGa1-x N, где 0 x 1. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Патент №2368031, изображение 1
Патент №2368031, изображение 2
Патент №2368031, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/205Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей - разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением