Патент №2375785 - Способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии
Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных схем, при формировании электродов в транзисторах и обкладок конденсаторов, при формировании контактов и проводящих областей на поверхности кремния, в качестве проводящих, термостабильных и барьерных слоев в системах металлизации. Сущность изобретения: способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии включает создание на подложке из кремния нанометрового подслоя адгезионного промотера и последующее нанесение тонкой пленки вольфрама методом газофазного химического осаждения по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом при пониженном давлении. В качестве адгезионного промотера используют силицид вольфрама W5Si3 . Изобретение позволяет улучшить качество получаемой металлической структуры вольфрама на кремнии с одновременным упрощением технологического процесса. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК B82B 3/00 | Изготовление или обработка наноструктур |
МПК H01L 21/285 | Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей - из газа или пара, например способом конденсации |