Патент №2376668 - Способ изготовления высокоомного поликремниевого резистора

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технологии изготовления высокоомных поликремниевых резисторов, и может быть использовано в производстве поликремниевых резисторов как в качестве дискретных элементов, так и в составе интегральных схем. Способ формирования высокоомного поликремниевого резистора включает нанесение поликремниевого слоя на изолирующий его от подложки и элементов интегральной схемы диэлектрик, формирование высоколегированных областей контактов резистора с помощью ионной имплантации большой дозой примеси или диффузии примеси, формирование последующей фотолитографией области поликремния, напыление слоя металла с последующей фотолитографией, формирование легированного слоя в теле резистора с помощью ионной имплантации, после формирования легированного слоя в теле резистора проводят отжиг при 250°С - 850°С. Способ позволяет получать большие поверхностные сопротивления поликремниевых резисторов с высокой точностью и воспроизводимостью за счет отсутствия большого количества высокотемпературных операций после ионного легирования тела резистора и возможности быстро провести контрольный процесс и определить необходимую дозу легирования для конкретной партии пластин, имеющей конкретный размер зерна поликремния. 10 ил.