Патент №2391743 - Гетероэлектрик

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к материалам, воздействующим на электромагнитные поля с целью управления ими и их преобразования, и может быть использовано при создании гетероэлектриков с наперед заданными оптическими, электрическими и магнитными характеристиками. Сущность изобретения: гетероэлектрик для воздействия на электромагнитные поля состоит из носителя и введенного в носитель активного начала, представляющего собой наночастицы вещества, отличного от вещества указанного носителя, расположенные в указанном носителе так, что среднее расстояние между указанными наночастицами меньше или порядка корня кубического из поляризуемости указанных наночастиц в веществе указанного носителя, указанные наночастицы выполнены композитными в виде ядра и одной или нескольких оболочек из различных материалов так, что соотношение толщин оболочек и радиуса ядра обеспечивает значение диэлектрической функции гетероэлектрика, отличное от значений диэлектрических функций указанных носителя и активного начала, на длине волны электромагнитного поля, для воздействия на которое предназначен указанный гетероэлектрик, а указанные оболочки имеют толщины не менее 5 атомных/молекулярных слоев. Техническим результатом является расширение возможности получения гетероэлектриков с заданными диэлектрическими функциями, в том числе с их заданными частотными зависимостями. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Патент №2391743, изображение 1

Классификация патента

Код Наименование
МПК B82B 1/00Наноструктуры
МПК H01L 29/00Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них