Патент №2393584 - Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля профиля легирования в полупроводниках. Технический результат - повышение достоверности измерений и расширение диапазона глубин приповерхностного слоя образца, в которых определяется концентрация легирующей примеси. Достигается выбором рабочего диапазона электродных потенциалов: в анодной области - потенциал, при котором начинается резкое возрастание тока, обусловленного реакцией растворения приповерхностного слоя полупроводника, в катодной области - потенциал, при котором происходит электрический пробой границы полупроводник-электролит. При этом измеряют электродный потенциал, высокочастотную дифференциальной емкости системы полупроводник-электролит и ток поляризации. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.