Патент №2394228 - Способ определения относительного изменения межплоскостных расстояний совершенных кристаллов

Использование: для определения относительного изменения межплоскостных расстояний совершенных кристаллов. Сущность: заключается в том, что сколлимированный пучок нейтронов направляют под углом Брэгга на систему из двух монокристаллов: первый с межплоскостным расстоянием d0 является эталонным, второй с межплоскостным расстоянием d является исследуемым, при этом с помощью детектирующего кристалла с коэффициентом отражения 50% регистрируют изменение интенсивности отражения нейтронов от эталонного кристалла при угле Брэгга 90°, затем в пучок помещают исследуемый монокристалл и добиваются одновременного выполнения условия Брэгга при угле дифракции 90° для пучка нейтронов, отраженных от кристаллографических плоскостей эталонного и исследуемого кристаллов, затем, изменяя температуру эталонного кристалла, добиваются минимума интенсивности отражения от этого кристалла, определяют величину изменения температуры между эталонным и исследуемым кристаллами Т в минимуме кривой отражения, соответствующую изменению межплоскостных расстояний этих кристаллов на величину d, и, учитывая, что угловая дисперсия при В=90° близка к нулю, вычисляют относительное изменение межплоскостного расстояния исследуемого кристалла по формуле , где - коэффициент теплового расширения эталонного кристалла, Т - разность температур эталонного и исследуемого кристаллов. Технический результат: повышение точности определения относительного изменения межплоскостных расстояний совершенных монокристаллов при снижении требований к технологии приготовления образцов. 3 ил.