Патент №2395867 - Полупроводниковая сэндвич-структура 3с-sic/si, способ ее получения и чувствительный элемент мембранного типа с ее использованием

Группа изобретений относится к микро- и нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении микромеханических приборов. Сущность изобретения: полупроводниковая сэндвич-структура 3С-SiC/Si содержит последовательно расположенные кремниевую подложку с базовой ориентацией (100), слой нанопористого кремния толщиной 50÷180 нм, сформированный с помощью химического травления подложки, и слой 3С-SiC, нанесенный с замещением водорода на углерод в поверхностных связях Si-H слоя пористого кремния. Предложены также способ получения полупроводниковой сэндвич-структуры и чувствительный элемент мембранного типа с ее использованием. Техническим результатом изобретения является повышение обратного пробивного напряжения и подвижности носителей зарядов в полупроводниковой сэндвич-структуре за счет повышения надежности получения структурно совершенного слоя карбида кремния. 3 н.п. ф-лы, 4 ил., 3 табл.

Патент №2395867, изображение 1
Патент №2395867, изображение 2
Патент №2395867, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК B82B 1/00Наноструктуры
МПК B82B 3/00Изготовление или обработка наноструктур
МПК H01L 21/205Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей - разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением