Патент №2395869 - Высоковольтный полупроводниковый прибор
Изобретение относится к области мощных высоковольтных приборов и может быть использовано для создания элементной базы преобразовательных устройств. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый прибор включает кремниевый диффузионный планарный p -N переход, электрические контакты для подачи потенциалов и охранные кольца, расположенные в области периметра р -слоя планарного р -N перехода и выполненные в виде кольцевых канавок, вытравленных в диффузионном р -слое. Глубина, ширина канавок и их суммарная ширина удовлетворяют определенным соотношениям. Изобретение обеспечивает упрощение конструкции и уменьшение площади, занимаемой охранными кольцами высоковольтного полупроводникового прибора с кремниевым диффузионным планарным p -N переходом. 1 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 29/70 | Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них - биполярные приборы |