Патент №2400866 - Светоизлучающий диод
Изобретение относится к светоизлучающим диодам, которые используются в оптической связи, в оптических компьютерах и т.п. Диод содержит гетероструктуру, включающую подложку, излучающий слой, сильнолегированный атомами переходных элементов группы железа Периодической системы полупроводниковый слой с ферромагнитными свойствами, нелегированный полупроводниковый слой и базовый и инжектирующий электроды. Слой с ферромагнитными свойствами расположен над излучающим слоем, а нелегированный полупроводниковый слой расположен между слоем с ферромагнитными свойствами и инжектирующим электродом. Диод может содержать также дополнительные слои, улучшающие параметры диода и не блокирующие эффект спиновой поляризации носителей в такой гетероструктуре. Преимущества диода согласно изобретению заключаются в повышении интенсивности и степени круговой поляризации излучения, формируемого диодом. 8 з.п. ф-лы, 3 ил.
Классификация патента
| Код | Наименование |
|---|---|
| МПК H01L 33/02 | Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов - характеризующиеся полупроводниковыми телами |