Патент №2401480 - Полупроводниковый фотопреобразователь (варианты) и способ его изготовления

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов. Изобретение позволяет повысить эффективность преобразования интенсивных потоков излучения. Сущность изобретения: полупроводниковый фотопреобразователь содержит базовую область, выполненную из полупроводникового материала р- или n-типа проводимости, диодные структуры с n+ -p (p+-n) переходами на рабочей поверхности, и изотипные p-p+ (n-n+) переходы на противоположной поверхности, плоскости переходов параллельны рабочей поверхности, p+-n (n+-p) переходы выполнены в виде отдельных участков, скоммутированных с помощью контактов к легированному слою, расстояние между участками с p+-n (n+ -p) переходами не превышает удвоенной диффузионной длины неосновных носителей заряда в базовой области, при этом фотопреобразователь на рабочей поверхности в базовой области содержит изолированные области с дополнительными изотипными p-p+ (n-n +) переходами, которые выполнены между каждыми двумя соседними участками с p+-n (n+-p) переходами, плоскости дополнительных изолированных изотипных переходов параллельны рабочей поверхности, над дополнительными изотипными переходами расположены контактные полосы, которые изолированы от дополнительных изотипных переходов пассивирующей окисной пленкой и соединены изолированной от базовой области контактной полосой с контактом к легированному слою диодных структур, а участки базовой области, свободные от контактов, содержат пассивирующую просветляющую пленку. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 6 ил.