Изобретение может быть использовано в оптических системах связи, в системах измерения в качестве оптоэлектронного датчика, в том числе в системах детектирования частиц высоких энергий, в интегральной оптоэлектронике. Лавинный фотодиод содержит поглощающий слой на основе германия и кремния, умножительный слой из кремния, примыкающий к умножительному слою первый подконтактный слой из легированного кремния и примыкающий к поглощающему слою второй подконтактный слой из легированного кремния. Поглощающий слой выполнен из легированного кремния с наноразмерными включениями твердого раствора GexSi1-x(x 0,5), при этом в поглощающем слое твердый раствор и кремний имеют одинаковый тип проводимости, поглощающий слой примыкает к умножительному слою из легированного кремния, тип проводимости которого отличается от типа проводимости поглощающего слоя, а концентрация легирующей примеси в умножительном слое меньше, чем концентрация легирующей примеси в поглощающем слое. Изобретение обеспечивает расширение рабочего спектрального диапазона фотодиода в области ближнего ИК-диапазона при одновременном улучшении квантовой эффективности и электрических характеристик фотодиода и упрощении его конструкции. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.
Классификация патента
| Код |
Наименование |
| МПК H01L 31/107 | Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов - с потенциальным барьером, работающим в лавинном режиме, например лавинные фотодиоды |
