Патент №2407103 - Способ выращивания кремний-германиевых гетероструктур

Изобретение относится к технологии эпитаксиального нанесения полупроводниковых материалов на подложку. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности и расширение ассортимента формируемых высококачественных кремний-германиевых гетероструктур в результате улучшения контролируемости молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур за счет точного регулирования режима осаждения кремния и германия в оптимальном интервале величин скоростей, уменьшения концентрации неконтролируемых примесей в полученных предлагаемым образом гетероструктурах, а также снижение ресурсных затрат на подготовку технологического оборудования. Сущность изобретения: в способе выращивания кремний-германиевых гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии указанных структур за счет испарения кремния и германия из раздельных тигельных молекулярных источников на основе электронно-лучевых испарителей, испарение кремния ведут в автотигельном режиме из кремниевого расплава в твердой кремниевой оболочке, а испарение германия - из германиевого расплава в кремниевом вкладыше, представляющем собой выработанный ранее полый остаток, образовавшийся в результате испарения кремния в автотигельном режиме, и расположенном в тигельной полости охлаждаемого корпуса тигельного блока электронно-лучевого испарителя, используемого для создания молекулярного потока германия. При этом процесс эпитаксии регулируют с учетом выбора скорости осаждения германия, определенной из представленной зависимости. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Патент №2407103, изображение 1
Патент №2407103, изображение 2
Патент №2407103, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК B82B 3/00Изготовление или обработка наноструктур
МПК H01L 21/203Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей - физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием