Патент №2409515 - Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура

Изобретение относится к области магнитных нанокомпозитных материалов с гигантским магниторезистивным эффектом и может быть использовано в магниторезистивных датчиках и магнитной памяти с произвольной выборкой информации. Техническим результатом является создание композитной наноструктуры с высоким туннельным магниторезистивным эффектом с возможностью функционирования при рабочих температурах до 80°С и повышение надежности технологии изготовления приборов на основе предлагаемых наноструктур. Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура состоит из слоя магнитомягкого ферромагнитного материала и нескольких чередующихся слоев магнитных нанокластеров, при этом слой магнитомягкого ферромагнитного материала имеет толщину 3-5 нм, и слой отделен от магнитных нанокластеров слоем из немагнитного диэлектрика толщиной 1,5-3,0 нм, за которым расположены чередующиеся слои магнитных нанокластеров из ферромагнитного материала толщиной 0,8-2,0 нм и антиферромагнитного диэлектрического материала толщиной 1,5-3,0 нм. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.