Патент №2412898 - Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018 1×1019 1/см3, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из AlyGa1-y As, где y - молярная доля Аl, толщиной от 1,70 до 8,48 нм с молярной долей Аl от 0,4 до 1 и расположенной между ними потенциальной ямы толщиной 7,91 12,44 нм, выполненной из GaAs, отношение молярных долей Аl слоев потенциальных барьеров лежит в пределах 1,6 2,5. Изобретение позволяет обеспечить создание выпрямительного диода с формой ВАХ, позволяющей увеличить выходное напряжение выпрямителя в 5 10 раз при амплитуде входного переменного напряжения U ВХ 0,2 В. 3 ил.

Патент №2412898, изображение 1
Патент №2412898, изображение 2
Патент №2412898, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК B81B 1/00Устройства без подвижных или гибких элементов, например микрокапиллярные устройства
МПК H01L 29/861Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них - диоды