Патент №2430882 - Способ получения слоя диоксида кремния и устройство для его реализации

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных микросхем. Для получения слоя диоксида кремния загружают кассеты с кремниевыми подложками через открытую вакуумную заслонку в камеру осаждения реактора, закрывают вакуумную заслонку, проводят откачку реактора до 300-400 Па через байпасную линию, открывают вакуумный затвор, подают инертный газ в реактор, отключают инертный газ и закрывают вакуумный затвор по достижении предельного вакуума в реакторе. Затем проверяют реактор на герметичность, открывают вакуумный затвор, подают молекулярный кислород в камеру подачи и в разрядную камеру генератора атомов и преобразуют его в атомарный кислород ударно-волновым способом путем подачи напряжения с конденсаторной батареи на электроды разрядной камеры генератора атомов. Далее подают атомарный кислород по кварцевой трубке в камеру осаждения, прекращают подачу молекулярного кислорода в генератор и в камеру подачи, подают в камеру осаждения инертный газ и проводят прокачку реактора. Прекращают подачу инертного газа, закрывают затвор и заполняют реактор инертным газом до давления 300-600 Па, затем увеличивают расход инертного газа и заполняют реактор до атмосферного давления. После этого открывают вакуумную заслонку и выгружают кассеты с подложками, закрывают вакуумную заслонку, открывают вакуумный затвор, подают в реактор инертный газ и проводят откачку до следующего процесса. Изобретение позволяет снизить температуру осаждения слоя диоксида кремния. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил.