Патент №2435247 - Способ изготовления мощных высоковольтных кремниевых приборов

Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, точнее к технологии изготовления биполярных мощных кремниевых высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных высоковольтных кремниевых приборов, включающем создание полупроводниковой структуры, содержащей блокирующий p+N-переход, путем термодиффузии в кремний N-типа проводимости примесей, создающих слои p+ и n+-типа проводимости, напыление на поверхности структуры омических контактов, облучение ее со стороны упомянутого p+N-перехода электронами с энергией 350÷550 кэВ и соответствующей дозой 5·1017 см-2÷1·1016 см-2, и облучение этой структуры с любой стороны электронами с энергией 1÷10 МэВ и дозой Ф, определяемой из заявленного соотношения. Изобретение обеспечивает изготовление мощных высоковольтных полупроводниковых кремниевых приборов с меньшими потерями мощности при их эксплуатации, а также удешевление и ускорение технологического процесса изготовления.