Патент №2436185 - Способ локального плазмохимического травления материалов

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ локального плазмохимического травления материала предусматривает размещение материала между двумя электродами и образование электрического газового разряда в промежутке между первым электродом и обращенной к нему поверхностью материала, размещенного на втором электроде, приложением к электродам разности электрических потенциалов. Травление ведут при давлении газа, большем максимального его значения из тех возможных, для данного расстояния между утопленными элементами поверхности первого электрода и обрабатываемой поверхностью, при которых разряд не зажигается, но меньшем минимального его значения из тех возможных для данного расстояния между выступающими элементами поверхности первого электрода и поверхностью материала, при которых разряд зажигается у выступающих элементов поверхности первого электрода. Способ обеспечивает повышение разрешающей способности локального травления. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Патент №2436185, изображение 1

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01L 21/3065Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей - плазменное травление; ионное травление