Патент №2436194 - Способ изготовления чипов концентраторных солнечных фотоэлементов

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу получения чипов солнечных фотоэлементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ получения чипов концентраторных солнечных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное нанесение на поверхность фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя, локальное удаление контактного слоя для открытия части нижележащего пассивирующего слоя и формирования полосок контактного слоя. Далее создают многослойное просветляющее покрытие на открытой части пассивирующего слоя и формируют омические контакты на поверхности полосок контактного слоя и на тыльной поверхности фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры. Проводят последующее утолщение основы омических контактов электрохимическим осаждением слоя контактного материала, разделение многослойной структуры на чипы и пассивацию боковой поверхности чипов диэлектриком. Утолщение основы омических контактов на поверхности полосок контактного слоя осуществляют через маску, изготовленную методом аммиачного переворачивания позитивного фоторезиста. Полоски маски в поперечном сечении имеют вид трапеции, прилегающей меньшим основанием к фронтальной поверхности фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры. Боковые поверхности полученных полосок омических контактов выполняют зеркальными. Способ позволяет изготавливать чипы концентраторных солнечных фотоэлементов с низкой степенью затенения фоточувствительной поверхности солнечных фотоэлементов, с низким омическим сопротивлением полосок омических контактов. 3 з.п. ф-лы, 7 ил.