Патент №2440640 - Способ получения монокристаллических пленок и слоев теллура

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при производстве изделий микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является получение пленок и слоев теллура монокристаллической структуры на ориентирующих подложках. Сущность изобретения: получают пленки и слои теллура монокристаллической структуры на гранях кристаллов путем перевода теллура в моноатомный пар и роста из него образцов монокристаллической структуры, при этом процесс осаждения проводят в атмосфере водорода при РН2=1,8 атм, температуре исходного теллура Т 2=600°С и температуре зоны подложки T1=400°C. 4 ил.