Патент №2443044 - Инжекционный лазер

Лазер на основе гетероструктуры содержит волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами p- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую из квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор и полосковый омический контакт, под которым расположена область инжекции. В волноводный слой вне области инжекции введена область полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области. При этом фактор оптического ограничения замкнутой моды области упомянутого полупроводникового материала удовлетворяет соотношению: где , , - значения составляющих фактора оптического ограничения Г для ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, отн.ед.; NB - оптические потери, связанные с межзонным поглощением излучения ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, см-1. Технический результат заключается в обеспечении увеличения выходной оптической мощности как в непрерывном, так и в импульсном режимах токовой накачки, а также в повышении временной стабильности выходной оптической мощности. 12 з.п. ф-лы, 4 ил.

Патент №2443044, изображение 1
Патент №2443044, изображение 2
Патент №2443044, изображение 3

Классификация патента

Код Наименование
МПК H01S 5/042Полупроводниковые лазеры - электрическое возбуждение
МПК H01S 5/065Полупроводниковые лазеры - синхронизация мод; подавление мод; селекция мод
МПК H01S 5/32Полупроводниковые лазеры - с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры 5/34, 5/36 имеют преимущество