Патент №2454750 - Фотокатод
Изобретение относится к области электровакуумной электронной техники. Фотокатод включает диэлектрическую или полупроводниковую подложку, на которую нанесен слой эмитирующего фотоэлектроны полупроводника n-типа проводимости с шириной запрещенной зоны Eg1. На поверхности слоя полупроводника выращены квантовые точки из полупроводника n-типа проводимости с шириной запрещенной зоны подложки Eg2, декорированные атомами электроположительного металла общей толщиной до 3,0 монослоев. Eg2
Классификация патента
Код
Наименование
МПК H01J 1/34 Элементы конструкции электродов, устройств для магнитного управления, экранов, устройств для их крепления или размещения, общие для двух и более основных типов электронных и газоразрядных приборов - фотоэлектрические катоды-фотокатоды 1/35 имеет преимущество; фотоэлектрические экраны 1/78 МПК H01J 40/06 Фотоэлектрические разрядные приборы, в которых не происходит ионизация газа - фотоэмиссионные катоды