Патент №2455724 - Структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении приборов вакуумной микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является использование в качестве материала эмиттера наноалмазных покрытий, представляющих собой углеродные пленки, которые содержат наноструктурированные алмазные компоненты, что приводит к повышению деградационной стойкости, плотности тока и уменьшению рабочих напряжений в интегральных приборах вакуумной нано- и микроэлектроники. Сущность изобретения: интегральный автоэмиссионный элемент включает подложку, покрытую диэлектрическим слоем, катодную структуру, состоящую из одного или нескольких слоев электропроводящего материала и расположенную на внешней поверхности упомянутой подложки, опорную структуру, расположенную на верхней поверхности упомянутой катодной структуры и содержащую сквозные отверстия, внутри которых формируются катоды на основе наноалмазных покрытий, расположенные на внешней поверхности катодной структуры, анодный слой из электропроводящего материала, расположенный на внешней поверхности упомянутой опорной структуры и содержащий технологические отверстия, совмещенные с упомянутыми отверстиями в опорной структуре. Создание эмиттера на основе наноалмазного покрытия проводится в едином технологическом цикле с формированием структуры анодов без дополнительной операции совмещения анодов с катодной структурой. 4 н. и 2 з.п. ф-лы, 8 ил.
Классификация патента
Код | Наименование |
---|---|
МПК B82B 1/00 | Наноструктуры |
МПК B82B 3/00 | Изготовление или обработка наноструктур |
МПК H01J 9/02 | Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления электронных или газоразрядных приборов, разрядных осветительных ламп или их деталей; восстановление материала из электронных или газоразрядных приборов или ламп - изготовление электродов или электродных систем |